5-й разряд

Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами; выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей, требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций на многослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностью совмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведения фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых поступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения +/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей поверхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплекта эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качества фотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерности края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской документации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного кинескопа.

Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую и оптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определения режимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых и совмещенных микросхем; правила настройки и регулирования контрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы на установке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре, денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения; основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.

Примеры работ

1. Магнитные интегральные схемы - проведение полного цикла фотолитографических операций.

2. Маски теневые и совмещенные микросхемы - проведение полного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкой режимов работы.

3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерами элементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.

4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, - вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контроль готовых пластин.

5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методом химфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определением равномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещением фотошаблона.

Раздел «Должностные инструкции» содержит необходимую информацию о том, как составляется должностная инструкция. Здесь вы можете найти типовые должностные инструкции по разным специальностям. Наш банк должностных инструкций включает в себя более чем 2500 разных документов. Данные должностные инструкции 2015 года составления и редактирования, а значит, являются актуальными на сегодняшний день.

Из этой статьи вы узнаете:

• какие обязанности, полномочия и права отражает должностная инструкция оператора прецизионной фотолитографии;
• какие положения содержит типовая должностная инструкция оператора прецизионной фотолитографии;
• за какие участки работы по этой должностной инструкции несет ответственность данный специалист в вашей организации.

Общество с ограниченной ответственностью «Альфа»

УТВЕРЖДАЮ
Генеральный директор
_________ А.В. Львов
10.01.2015

Должностная инструкция № 13
оператора прецизионной фотолитографии

г. Москва 01.10.2015

1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1.1. Настоящая должностная инструкция определяет обязанности, права и

ответственность оператора прецизионной фотолитографии.

1.2. Решение о назначении на должность и об освобождении от должности принимается

генеральным директором по представлению непосредственного руководителя.

1.3. На должность оператора прецизионной фотолитографии назначается лицо, имеющее

среднее профессиональное образование, без предъявления требований к стажу

1.4. Оператор прецизионной фотолитографии в своей деятельности руководствуется:

– действующими нормативными документами по вопросам выполняемой работы;

– уставом организации, локальными нормативными актами организации;

– настоящей должностной инструкцией.

1.5. Оператор прецизионной фотолитографии должен знать:

– назначение, устройство, правила и способы подналадки оборудования,

приспособлений и инструмента (микроскопов, ультрафиолетовой и инфракрасной ламп,

термостата, контактных термометров и вискозиметров);

– режимы проявления фотослоев;

– технологические приемы травления различных материалов (окись кремния,

металлы и др.);

– подбор времени экспонирования и травления;

– основные свойства фоточувствительных эмульсий и их компонентов;

– Правила трудового распорядка;

– правила и нормы охраны труда, техники безопасности и противопожарной

1.6. Оператор прецизионной фотолитографии подчиняется непосредственному

руководителю.

1.7. На время отсутствия оператора прецизионной фотолитографии (отпуск, болезнь и

пр.) его обязанности исполняет лицо, назначенное в установленном порядке.

2. ДОЛЖНОСТНЫЕ ОБЯЗАННОСТИ

Оператор прецизионной фотолитографии обязан:

2.1. Проводить фотолитографические операции по совмещению элементов рисунка

топологии схемы на пластине с соответствующими элементами на фотошаблоне с

точностью +/- 5 мкм на установках совмещения и экспонирования.

2.2. Выполнять экспонирование, проявление и задубливание фотослоя, а также травление

различных материалов (окиси кремния, металлов и многокомпонентных стекол, включая

многослойные структуры из различных металлов) по заданным в технологии режимам.

2.3. Контролировать качество травления.

2.4. Выполнять термообработку, отмывку фотошаблонов в процессе их эксплуатации.

2.5. Готовить растворы для проявления, травления.

2.6. Фильтровать фоторезист.

2.7. Снимать фоторезист в кислотах, органических растворителях.

2.8. Выполнять работы по защите поверхности пластин пассивирующей пленкой.

2.9. Контролировать качество клина, проявления и травления на микроскопах.

2.10. Измерять вязкость фоторезиста.

3. ПРАВА

Оператор прецизионной фотолитографии вправе:

3.1. Знакомиться с проектными решениями руководства, касающимися его

деятельности.

3.2. Вносить предложения по совершенствованию работы, связанной с

предусмотренными настоящей инструкцией обязанностями.

3.3. В пределах своей компетенции сообщать непосредственному руководителю о

недостатках, выявленных в процессе исполнения должностных обязанностей, и вносить

предложения по их устранению.

3.4. Требовать от руководства оказания содействия в исполнении своих должностных

обязанностей и прав.

документы, необходимые для выполнения своих должностных обязанностей.

4. ОТВЕТСТВЕННОСТЬ

Оператор прецизионной фотолитографии несет ответственность:

4.1. За ненадлежащее исполнение или неисполнение своих должностных обязанностей,

предусмотренных настоящей должностной инструкцией, в пределах, определенных

действующим трудовым законодательством Российской Федерации.

4.2. За нарушения, совершенные в процессе осуществления своей деятельности, в

пределах, определенных действующим административным, уголовным и гражданским

законодательством Российской Федерации.

4.3. За причинение материального ущерба в пределах, определенных действующим

трудовым и гражданским законодательством Российской Федерации.

5. ПОРЯДОК ПЕРЕСМОТРА ДОЛЖНОСТНОЙ ИНСТРУКЦИИ

5.1. Должностная инструкция пересматривается, изменяется и дополняется по мере

необходимости, но не реже одного раза в пять лет.

5.2. С приказом о внесении изменений (дополнений) в должностную инструкцию

знакомятся под расписку все работники организации, на которых распространяется

действие этой инструкции.

Должностная инструкция разработана в соответствии с приказом генерального

СОГЛАСОВАНО

Руководитель отдела

____________________________________

Е.Э. Громова

С настоящей инструкцией ознакомлен.

Один экземпляр получил на руки и обязуюсь хранить на рабочем месте.

Оператор прецизионной

фотолитографии ____________________________________

Характеристика работ . Подготовка пластин кремния, заготовокмасок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин смаскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжириваниеи декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительногопокрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления,неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушказаготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случаенеобходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированномоборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнемувиду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытьепосуды. Приготовление хромовой смеси.

Должен знать: наименование и назначение важнейших частей ипринцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильныйшкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборовдля контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работумикроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правилахранения и использования их; основные химические свойства применяемыхматериалов.

Примеры работ

1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов -изготовление методом фотохимического травления.

2. Заготовки масок - обезжиривание, декапирование,промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.

3. Заготовки печатных плат - зачистка, декапирование, промывание,сушка.

4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методомфотохимфрезерования - обезжиривание, сушка.

5. Маски, пластины, фотошаблоны - промывание, сушка,нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.

6. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"- сушка и полимеризация фоторезиста.

7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны -изготовление фотохимическим методом.

8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты -обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.

9. Подложки ситалловые - снятие фоточувствительного слоя.

10. Стекла 700 x 700 x 3 - очистка и обработка ацетоном,полив вручную гравировальной жидкостью.

§ 83. Оператор прецизионной фотолитографии 3-го разряда

Характеристика работ . Проведение фотолитографическихопераций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине ссоответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установкахсовмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливаниефотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов имногокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов)по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка,отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов дляпроявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах,органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой.Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерениевязкости фоторезиста.

Должен знать: назначение, устройство, правила и способыподналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов,ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров ивискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травленияразличных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времениэкспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и ихкомпонентов.

Примеры работ

1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины -получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление,окрашивание, промывание и т.д.).

2. Маски биметаллические - изготовление методомфотохимического травления.

3. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"- нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.

4. Микротрасформаторы планарные - проведениепоследовательного ряда фотохимических операций.

5. Пластины - нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста всоляной кислоте.

6. Пластины кремния - нанесение, сушка, совмещениенекритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.

7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методомфотохимфрезерования - проявление и удаление фоторезиста.

8. Пленочные схемы СВЧ - проведение циклафотолитографических операций.

9. Подложки ситалловые - травление, экспонирование.

§ 84. Оператор прецизионной фотолитографии 4-го разряда

Характеристика работ . Проведение всего циклафотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностьюсовмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложныхстекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования,проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределахтехнологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушкафоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях.Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощьюпрофилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотностипроколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементовпод микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям иэлементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессеэксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестациягеометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощьюмикроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне - с точностью +/- 0,2 мкм.Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей вработе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.

Должен знать: устройство, правила наладки и проверки наточность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящихв технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способыприготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательностьтехнологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы);причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной ихрезкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявленияфоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных ирабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.

Примеры работ

1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементовболее или равными 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.

2. Заготовки масок - электрохимическое никелирование.

3. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полногоцикла фотохимических операций при изготовлении.

4. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"- проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.

5. Микросхемы - проведение полного цикла фотохимическихопераций при изготовлении.

6. Пластина - проведение полного цикла фотолитографическихопераций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины - защита.

7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии - контролькачества поверхности под микроскопом МБС.

8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм -контроль качества проявления, травления.

9. Платы печатные, микросхемы СВЧ - травление.

10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ -нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику;определение толщины слоя фоторезиста.

11. Поликремний - проведение полного цикла фотолитографии.

12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефаиз напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительнымсовмещением заданной точности.

13. Проекционная фотолитография - подбор экспозиции ирезкости на установках проекционной фотолитографии.

14. Сетки мелкоструктурные - изготовление методомфотолитографии.

15. Сетки молибденовые и вольфрамовые - травление.

16. Теневая маска для цветных кинескопов - контролькачества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов подмикроскопом.

17. Фотошаблоны эталонные - изготовление.

18. Фотошаблоны - контроль качества поверхности подмикроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортнымиданными под микроскопом МИИ-4.

§ 85. Оператор прецизионной фотолитографии 5-го разряда

Характеристика работ . Проведение фотолитографическихопераций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией иассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих изполупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами;выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей,требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций намногослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностьюсовмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведенияфотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемыхматериалов и результатов выполнения технологических операций, с которыхпоступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения+/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочейповерхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплектаэталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблоновна микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачноститеневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качествафотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерностикрая, контроль соответствия топологии на пластине конструкторскойдокументации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процессафотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветногокинескопа.

Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую иоптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определениярежимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых исовмещенных микросхем; правила настройки и регулированияконтрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы наустановке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре,денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения;основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.

Примеры работ

1. Магнитные интегральные схемы - проведение полного циклафотолитографических операций.

2. Маски теневые и совмещенные микросхемы - проведениеполного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкойрежимов работы.

3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерамиэлементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.

4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, -вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контрольготовых пластин.

5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методомхимфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определениемравномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещениемфотошаблона.

6. Транзистор, диоды - совмещение с точностью от 2 мкм иболее.

7. Фоторезист - фильтрация через специальныеприспособления.

8. Фотошаблоны - контроль качества под микроскопом сразбраковкой по 5 - 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.

9. Фотошаблоны рабочие и эталонные - определение рассовмещениякомплекта на установке сравнения фотошаблонов.

10. Фотошаблоны эталонные - подготовка к контактной печати.

§ 86. Оператор прецизионной фотолитографии 6-го разряда

Характеристика работ . Проведение всего циклафотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различныхтипов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм.Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионнойфотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа совсеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типовламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимовработы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов впроцессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маскес помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопиймасок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путемнегативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 -2 мкм.

Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки наточность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов; химические ифизические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе; методыопределения последовательности и режимов фотолитографических процессов длямикросхем, дискретных приборов различной сложности; расчеты, связанные свыбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии;методы определения пленок на интерферометрах.

Примеры работ

1. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полногоцикла фотохимических операций при изготовлении.

2. Пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов сразмерами элементов менее 5 мкм - контроль после задубливания, травления,фотолитографии; классификация по видам брака.

3. Фотошаблоны образцовые прецизионные - изготовлениеопытных партий.

4. Фотошаблоны эталонные - определение пригодностиизготовленного комплекта для производства рабочих копий.

§ 87. Оператор прецизионной фотолитографии 7-го разряда

Характеристика работ . Проведение полного циклафотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем(СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм иразмером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения имультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливанияфоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции насовмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати,качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ дляобеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектностифоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерениелинейных размеров на автоматическом измерителе типа "Zeltz". Входнойконтроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его кработе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.

Должен знать: конструкцию и принцип работыфотолитографического оборудования с программным управлением; правилапользования автоматической системой управления движением пластин; методыкорректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий порезультатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) -изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев.

2. Пластины СБИС с размером элементов 2 мкм - проведениеполного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качествавыполнения их перед проведением плазмохимических процессов.

3. Рамка контактная - проведение полного циклафотолитографических операций.

4. Шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм -проведение полного технологического цикла фотолитографических операций.

Оператор прецизионной фотолитографии (микроэлектронное производство) это рабочий, который выполняет работы по получению определённого рисунка на поверхности пластин кремния для микросхем.

В зависимости от разряда оператор прецизионной фотолитографии может выполнять простые или более сложные работы:

• Подготовка пластин кремния, заготовок масок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин с маскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжиривание и декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительного покрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления, неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушка заготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случае необходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированном оборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнему виду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытье посуды. Приготовление хромовой смеси.
• Проведение фотолитографических операций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине с соответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установках совмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливание фотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов и многокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов) по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка, отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов для проявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах, органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой. Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерение вязкости фоторезиста.
• Проведение всего цикла фотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностью совмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложных стекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования, проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределах технологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушка фоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях. Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощью профилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотности проколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементов под микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям и элементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессе эксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестация геометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощью микроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне - с точностью +/- 0,2 мкм. Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей в работе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.
• Проведение фотолитографических операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами; выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей, требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций на многослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностью совмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведения фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых поступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения +/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей поверхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплекта эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качества фотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерности края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской документации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного кинескопа.
• Проведение всего цикла фотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различных типов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм. Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионной фотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа со всеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типов ламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимов работы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов в процессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маске с помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопий масок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путем негативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 - 2 мкм.
• Проведение полного цикла фотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем (СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм и размером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения и мультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливания фоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции на совмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати, качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ для обеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектности фоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерение линейных размеров на автоматическом измерителе типа "Zeltz". Входной контроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его к работе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.

Единый тарифно-квалификационный справочник работ и профессий рабочих (ЕТКС), 2019
Выпуск №20 ЕТКС
Выпуск утвержден Постановлением Минтруда РФ от 21.01.2000 N 5
(в редакции Постановления Минтруда РФ от 12.09.2001 N 67)

Оператор прецизионной фотолитографии

§ 82. Оператор прецизионной фотолитографии 2-го разряда

Характеристика работ . Подготовка пластин кремния, заготовок масок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин с маскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжиривание и декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительного покрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления, неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушка заготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случае необходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированном оборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнему виду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытье посуды. Приготовление хромовой смеси.

Должен знать: наименование и назначение важнейших частей и принцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильный шкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборов для контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работу микроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правила хранения и использования их; основные химические свойства применяемых материалов.

Примеры работ

1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов - изготовление методом фотохимического травления.

2. Заготовки масок - обезжиривание, декапирование, промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.

3. Заготовки печатных плат - зачистка, декапирование, промывание, сушка.

4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методом фотохимфрезерования - обезжиривание, сушка.

5. Маски, пластины, фотошаблоны - промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.

6. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - сушка и полимеризация фоторезиста.

7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны - изготовление фотохимическим методом.

8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты - обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.

9. Подложки ситалловые - снятие фоточувствительного слоя.

10. Стекла 700 x 700 x 3 - очистка и обработка ацетоном, полив вручную гравировальной жидкостью.

§ 83. Оператор прецизионной фотолитографии 3-го разряда

Характеристика работ . Проведение фотолитографических операций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине с соответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установках совмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливание фотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов и многокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов) по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка, отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов для проявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах, органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой. Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерение вязкости фоторезиста.

Должен знать: назначение, устройство, правила и способы подналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов, ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров и вискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травления различных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времени экспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и их компонентов.

Примеры работ

1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины - получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление, окрашивание, промывание и т.д.).

2. Маски биметаллические - изготовление методом фотохимического травления.

3. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.

4. Микротрасформаторы планарные - проведение последовательного ряда фотохимических операций.

5. Пластины - нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста в соляной кислоте.

6. Пластины кремния - нанесение, сушка, совмещение некритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.

7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методом фотохимфрезерования - проявление и удаление фоторезиста.

8. Пленочные схемы СВЧ - проведение цикла фотолитографических операций.

9. Подложки ситалловые - травление, экспонирование.

§ 84. Оператор прецизионной фотолитографии 4-го разряда

Характеристика работ . Проведение всего цикла фотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностью совмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложных стекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования, проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределах технологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушка фоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях. Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощью профилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотности проколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементов под микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям и элементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессе эксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестация геометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощью микроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне - с точностью +/- 0,2 мкм. Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей в работе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.

Должен знать: устройство, правила наладки и проверки на точность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящих в технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способы приготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательность технологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы); причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной их резкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявления фоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных и рабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.

Примеры работ

1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементов более или равными 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.

2. Заготовки масок - электрохимическое никелирование.

3. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.

4. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.

5. Микросхемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.

6. Пластина - проведение полного цикла фотолитографических операций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины - защита.

7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии - контроль качества поверхности под микроскопом МБС.

8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм - контроль качества проявления, травления.

9. Платы печатные, микросхемы СВЧ - травление.

10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ - нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику; определение толщины слоя фоторезиста.

11. Поликремний - проведение полного цикла фотолитографии.

12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефа из напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительным совмещением заданной точности.

13. Проекционная фотолитография - подбор экспозиции и резкости на установках проекционной фотолитографии.

14. Сетки мелкоструктурные - изготовление методом фотолитографии.

15. Сетки молибденовые и вольфрамовые - травление.

16. Теневая маска для цветных кинескопов - контроль качества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов под микроскопом.

17. Фотошаблоны эталонные - изготовление.

18. Фотошаблоны - контроль качества поверхности под микроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортными данными под микроскопом МИИ-4.

§ 85. Оператор прецизионной фотолитографии 5-го разряда

Характеристика работ . Проведение фотолитографических операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами; выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей, требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций на многослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностью совмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведения фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых поступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения +/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей поверхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплекта эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качества фотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерности края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской документации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного кинескопа.

Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую и оптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определения режимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых и совмещенных микросхем; правила настройки и регулирования контрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы на установке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре, денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения; основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.

Примеры работ

1. Магнитные интегральные схемы - проведение полного цикла фотолитографических операций.

2. Маски теневые и совмещенные микросхемы - проведение полного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкой режимов работы.

3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерами элементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.

4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, - вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контроль готовых пластин.

5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методом химфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определением равномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещением фотошаблона.

6. Транзистор, диоды - совмещение с точностью от 2 мкм и более.

7. Фоторезист - фильтрация через специальные приспособления.

8. Фотошаблоны - контроль качества под микроскопом с разбраковкой по 5 - 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.

9. Фотошаблоны рабочие и эталонные - определение рассовмещения комплекта на установке сравнения фотошаблонов.

10. Фотошаблоны эталонные - подготовка к контактной печати.

§ 86. Оператор прецизионной фотолитографии 6-го разряда

Характеристика работ . Проведение всего цикла фотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различных типов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм. Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионной фотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа со всеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типов ламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимов работы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов в процессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маске с помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопий масок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путем негативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 - 2 мкм.

Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки на точность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов; химические и физические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе; методы определения последовательности и режимов фотолитографических процессов для микросхем, дискретных приборов различной сложности; расчеты, связанные с выбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии; методы определения пленок на интерферометрах.

Примеры работ

1. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.

2. Пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов с размерами элементов менее 5 мкм - контроль после задубливания, травления, фотолитографии; классификация по видам брака.

3. Фотошаблоны образцовые прецизионные - изготовление опытных партий.

4. Фотошаблоны эталонные - определение пригодности изготовленного комплекта для производства рабочих копий.

§ 87. Оператор прецизионной фотолитографии 7-го разряда

Характеристика работ . Проведение полного цикла фотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем (СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм и размером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения и мультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливания фоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции на совмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати, качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ для обеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектности фоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерение линейных размеров на автоматическом измерителе типа "Zeltz". Входной контроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его к работе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.

Должен знать: конструкцию и принцип работы фотолитографического оборудования с программным управлением; правила пользования автоматической системой управления движением пластин; методы корректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий по результатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) - изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев.

2. Пластины СБИС с размером элементов 2 мкм - проведение полного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качества выполнения их перед проведением плазмохимических процессов.

3. Рамка контактная - проведение полного цикла фотолитографических операций.

4. Шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм - проведение полного технологического цикла фотолитографических операций.